台積電決定在今年 Q2 推出第二版 3 奈米製程 N3B， 8 月啟動量產，並同時首度嘗試南北兩地同步投片，明年則全數導入具更成本效益的第三版 3 奈米製程 N3E。
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晶圓代工雙雄台積電與三星在 3 奈米製程間的爭霸備受全球半導體產業關注。今（12）日，據《聯合報》消息，台積電決定率先推出第二版 3 奈米製程 N3B，在今年 8 月啟動量產，同時首度嘗試南北兩地同步投片。
3 奈米 N3B 今年 8 月南北投片量產
台積電 3 奈米製程此前開發過程並不順利，第二版 N3B 良率未達預期，無法如期推動量產，導致蘋果新一代 A16 處理器今年僅能採用 5 奈米加強版 N4P。後來 3 奈米研發小組嘗試設計良率快速拉升、成本優化的 N3E（3 奈米改良型製程）。
然而，《聯合報》調查，經過一年多的努力，台積電 3 奈米近期不論在 N3B 及 N3E 都取得重大突破。
台積電將在今年領先三星，率先啟動 N3B 量產，並在今年 8 月首度嘗試於南北兩地，即新竹 12 廠研發中心第八期工廠及南科 18 廠 P5 廠同步投片。
其中南科 18B 廠的 P5 廠，主要代工用於蘋果下世代平板電腦及 Macbook 系列筆電的第二代處理器，產能每月約在設置約 1.5 萬片。；新竹 12 廠研發中心 P8 新廠則是為英特爾代工核心處理器中的支援晶片，產能設在每月約 1 萬到 2 萬片
此外，台積電此前指出， 3 奈米性能的三大關鍵指標比前一代 5 奈米更佳，包括電晶體密度增加 1.7 到 1.8 倍，預估晶片效能可提升逾 10%，且在同等級效能下，功耗可降低 25~30%。
但台積電和三星在雙方在 3 奈米採用不同架構，前者採鰭式場效電晶體（FinFET）架構，三星則採環繞閘極（GAA）架構，到時究竟何種架構生產的晶片更具優勢，也是產業關注焦點。
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2023 導入 N3E
據稱，台積電明年將全數導入具更成本效益的第三版 3 奈米製程 N3E，規畫明年月產能將由今年底的 2.5 萬片，直接倍增至 5 萬片，並視客戶導入進度，不排除拉升至更高的產能水準。N3E 預計用於蘋果的更新一代處理器，包括平板和筆電等處理器也會全數採用；其餘導入的客戶還包括英特爾及高通等半導體大廠。
最後，台積電供應鏈還透露，台積電內部對 2 奈米順利試產並量產的信心轉強，預估會在今年的技術論壇中正式揭露相關進度。
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